氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表，法国研究机构Yole 预测，到2023 年氮化镓射频器件的市场规模将达到13 亿美元，复合增速为22.9%。随着第三代半导体材料的崛起，基于新材料的IGBT 也将站上历史舞台。IGBT 主要应用领域之一的新能源汽车也已经打开市场，未来空间巨大。

氮化镓，分子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。