苹果也要推出氮化镓充电器
半导体原料共经历了三个发展阶段。 第一阶段是以硅(Si)、锗(Ge)为代表的第一代半导体原料;第二阶段是以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等化合物为代表;...
氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表,法国研究机构Yole 预测,到2023 年氮化镓射频器件的市场规模将达到13 亿美元,复合增速为22.9%。随着第三代半导体材料的崛起,基于新材料的IGBT 也将站上历史舞台。IGBT 主要应用领域之一的新能源汽车也已经打开市场,未来空间巨大。
氮化镓,分子式GaN,英文名称Gallium nitride,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可以用在高功率、高速的光电元件中,例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管,可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器(Diode-pumped solid-state laser)的条件下,产生紫光(405nm)激光。
半导体原料共经历了三个发展阶段。 第一阶段是以硅(Si)、锗(Ge)为代表的第一代半导体原料;第二阶段是以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等化合物为代表;...