本周重点：

ASML 发布 2018Q2 财报

首家国产 DRAM 芯片厂商迎来历史性时刻

核心观点：

ASML 发布 2018Q2 财报，逻辑制程驱动极紫外光机 EUV 成为营收主要增长点，带动二季度营收增长超过 30%。 EUV（极紫外光机）是保证摩尔定律延续的关键设备，也是当前最先进的半导体光刻设备，其目标市场定位先进制程 7nm 工艺。全球晶圆代工龙头台积电通过引进 EUV推出的 7nm 工艺几乎包揽了 100% 7nm 市场。我们预计其下游主要客户有苹果、华为海思（麒麟 980 芯片）、 超威（罗马服务器 CPU），赛灵思（ Everest） , 挖矿机厂商嘉楠耘智等。而且由于 EUV 光刻机的超高技术壁垒，整个 EUV 市场被 ASML 一家独占。此外今年的另一个技术趋势是存储器领域 3D 技术逐渐走向成熟，由于 3D NAND 需要堆叠技术，更多的层数将带动光刻设备（主要是 DUV）的需求，因此我们认为国内半导体设备龙头厂商将优先受益。

2018 年 7 月 16 日合肥长鑫 DRAM“ 506 项目” 正式宣布试产 8GbDDR4 的工程样片，标着着自主研发的国产 DRAM 芯片实现了 0 到 1的突破。虽然中国是全球最大的消费电子市场和电子产品制造地，对于存储器需求旺盛，但是占存储器 90%以上的内存 DRAM 和闪存 NANDFLASH 市场基本上是由韩，日，美三国垄断。 即使下游需求暴涨，这三巨头依然联手限产控价，实现了半导体存储器市场 20%以上的高速增长。随后国内接连发起对于三星，美光和海力士的反垄断调查，但是依然难掩国内存储器市场的落后，此次合肥长鑫 DRAM 芯片的投片弥补了国内厂商在 DRAM 市场的空白。我们认为合肥长鑫项目一旦顺利竣工，整条 DRAM IDM 产业链都将充分受益，首先是参与设计的兆易创新和提供设备的北方华创将优先受益，其次太极实业作为其洁尘室的设计方和国内 DRAM 封测龙头， 有望承接长鑫一部分封测订单，在合肥布局建厂的通富微电也有希望获得部分订单。

重点关注：

上海微电子，太极实业，通富微电， 兆易创新，北方华创

风险提示：

中国存储器进展不及预期

合肥长鑫 DRAM 芯片研发进度不达预期

半导体行业景气度下降，存储器需求减弱

国际存储大厂增加供给，挑起价格战，打压国内厂商的崛起